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TOSHIBA TK4P60DA,RQ(S2 MOSFET, CANAL N, 600V, 3,5A, TO-252


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-4173113
Fabricant:
     Toshiba
N°. du fabricant:
     TK4P60DA,RQ(S2
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistors de puissance
Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 1.7 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 3.5 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-252 (DPAK) Tension Vds max.. 600 V Dissipation de puissance 80 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4.4 V SVHC No SVHC (17-Jan-2023)
Autres mots de recherche: Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, TOSHIBA, TK4P60DA,RQ(S2, 4173113, 417-3113
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