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TOSHIBA TPN12008QM,L1Q(M MOSFET, CANAL N, 80V, 26A, TSON


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-4173226
Fabricant:
     Toshiba
N°. du fabricant:
     TPN12008QM,L1Q(M
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistors de puissance
Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0096 ohm Gamme de produit U-MOSX-H Series Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 60 A Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor TSON Tension Vds max.. 80 V Dissipation de puissance 86 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 3.5 V SVHC No SVHC (17-Jan-2023)
Autres mots de recherche: Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, TOSHIBA, TPN12008QM,L1Q(M, 4173226, 417-3226
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