TOSHIBA TPW2R508NH,L1Q(M MOSFET, CANAL N, 75V, 170A, DSOP

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.002 ohm Gamme de produit U-MOSVIII-H Series Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 170 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor DSOP Tension Vds max.. 75 V Dissipation de puissance 142 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC No SVHC (17-Jan-2023)