ROHM QH8KA1TCR MOSFET, DOUBLE, CAN-N, 30V, 4,5A, TSMT

Tension Drain Source Vds, Canal N 30 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P - Courant de drain continu Id, Canal N 4.5 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.056 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P - Type de canal Canal double N Dissipation de puissance Canal P 2.4 W Dissipation de puissance, Canal P - Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TSMT Qualification - SVHC To Be Advised