ONSEMI FDC6305N MOSFET, DUAL, NN, SUPERSOT-6

Tension Drain Source Vds, Canal N 20 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 6 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P - Courant de drain continu Id, Canal N 2.7 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.08 ohm Type de canal Canal N Dissipation de puissance Canal P 960 mW Résistance Etat ON Drain Source, Canal P - Dissipation de puissance, Canal P - Type de boîtier de transistor SuperSOT Température de fonctionnement max.. 150 °C Qualification - SVHC No SVHC (27-Jun-2024)