ONSEMI NTJD5121NT1G DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SC-88, Chann

Qualification - Dissipation de puissance, Canal P 266 mW Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 1 ohm Tension Drain Source Vds, Canal N 60 V Température de fonctionnement max.. 150 °C Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal N 304 mA Type de canal N Channel Tension drain source Vds, Canal P 60 V Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 1 ohm Type de boîtier de transistor SOT-363 MSL MSL 1 - Unlimited Dissipation de puissance Canal P 266 mW Nombre de broches 6 Broche(s) SVHC No SVHC (23-Jan-2024) Courant de drain continu Id, Canal P 304 mA