ON Semiconductor FDS6930B MOSFET 2 Canal N 900 mW SOIC-8

MOSFET

Fairchild Semiconductor FDS6930B
Type de boîtier (semi-conducteur): SOIC-8
Conditionnement: 1 pc(s)

Données techniques :
C(ISS) : 412 pF · C(ISS) Tension de référence : 15 V · Fabricant : Fairchild Semiconductor · Fonction FET : Porte de niveau logique · I(d) : 5.5 A · Nombre de sorties : 2 · Puissance maxi : 900 mW · Q(G) : 3.8 C · Q(G) Tension de référence : 5 V · R(DS)(on) : 38 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 5.5 A · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du fabricant (composants) : FSC · Série (semiconducteur) : PowerTrench® · Température de fonctionnement (max.) (num) : +150 °C · Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 30 V · Type (type fabricant) : FDS6930B · Type de FET : Canal N · Type de boîtier (semi-conducteur) : SOIC-8 · Type de montage : montage en surface · Type de transistor (Catégorisation) : MOSFET · U(DSS) : 30 V · U(GS)(th) Courant de référence max. : 250 µA · U(GS)(th) max. : 3 V