Central Semiconductor corp. Transistor (BJT) - Discrêt 2N2222A TO-18 1 NPN

Transistor

Central Semiconductor corp. 2N2222A
Type de boîtier (semi-conducteur): TO-18
Conditionnement: 1 pc(s)

Données techniques :
Conforme à la norme RoHS : oui · Courant - Résiduel collecteur-base (max.) : 10 nA · Courant du collecteur CI : 800 mA · Fabricant : Central Semiconductor corp. · Fréquence - Transition : 300 MHz · Gain à courant c.c. (hFE) (min.) : 100 · Ic : 150 mA · Nombre de canaux : 1 · Puissance (max) P(TOT) : 500 mW · Sigle du fabricant (composants) : CSC · Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) : 40 V · Type (type fabricant) : 2N2222A · Type de FET : NPN · Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-18 · Type de montage : trou traversant · Type de transistor (Catégorisation) : Transistor (BJT) - Discrêt · Vce : 10 V · Vce Saturation (max.) : 1 V