Infineon Technologies Transistor (BJT) - Discrêt BCV27 SOT-23-3 1 NPN - Darlington Tape cut

Transistor (BJT) - Discrêt

Infineon Technologies BCV27
Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-23-3
Conditionnement: 1 pc(s)

Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet.

Données techniques :
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) : 100 nA · Courant du collecteur CI : 500 mA · Disponible en logiciel PCB : Target 3001! · Fabricant : Infineon Technologies · Fréquence - Transition : 170 MHz · Gain à courant c.c. (hFE) (min.) : 20000 · Ic : 100 mA · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 360 mW · Sigle du fabricant (composants) : INF · Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) : 30 V · Type (type fabricant) : BCV27 · Type de FET : NPN - Darlington · Type de boîtier (semi-conducteur) : SOT-23-3 · Type de montage : montage en surface · Type de transistor (Catégorisation) : Transistor (BJT) - Discrêt · Vce : 5 V · Vce Saturation (max.) : 1 V