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Infineon Technologies Transistor (BJT) - Discrêt BC817K-40E6327 SOT-23-3 1 NPN Tape cut


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     7391-153076-BP
Fabricant:
     Infineon
N°. du fabricant:
     BC817K-40E6327
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistors
Transistor
Transistor (BJT) - Discrêt

Infineon Technologies BC817K-40E6327
Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-23-3
Conditionnement: 1 pc(s)

Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet.

Données techniques :
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) : 100 nA · Courant du collecteur CI : 500 mA · Disponible en logiciel PCB : Target 3001! · Fabricant : Infineon Technologies · Fréquence - Transition : 170 MHz · Gain à courant c.c. (hFE) (min.) : 250 · Ic : 100 mA · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 330 mW · Sigle du fabricant (composants) : INF · Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) : 45 V · Type (type fabricant) : BC817K-40E6327 · Type de FET : NPN · Type de boîtier (semi-conducteur) : SOT-23-3 · Type de montage : montage en surface · Type de transistor (Catégorisation) : Transistor (BJT) - Discrêt · Vce : 1 V · Vce Saturation (max.) : 700 mV

Autres mots de recherche: transistors de puissance, Infineon Technologies, BC817K-40E6327, transistor, transistor bipolaire
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Sachet antistatique (ESD) BJZ C-BGZH-0406-S (L x l) 102 mm x 152 mm blindé Lettre didentification ESD: S refermable 1 pc(s)
BJZ
C-BGZH-0406-S
à partir de € 0,20*
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