Infineon Technologies Transistor (BJT) - Discrêt BCX41E6327 SOT-23-3 1 NPN Tape cut

Transistor (BJT) - Discrêt

Infineon Technologies BCX41E6327
Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-23-3
Conditionnement: 1 pc(s)

Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet.

Données techniques :
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) : 10 µA · Courant du collecteur CI : 800 mA · Disponible en logiciel PCB : Target 3001! · Fabricant : Infineon Technologies · Fréquence - Transition : 100 MHz · Gain à courant c.c. (hFE) (min.) : 40 · Ic : 200 mA · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 330 mW · Sigle du fabricant (composants) : INF · Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) : 125 V · Type (type fabricant) : BCX41E6327 · Type de FET : NPN · Type de boîtier (semi-conducteur) : SOT-23-3 · Type de montage : montage en surface · Type de transistor (Catégorisation) : Transistor (BJT) - Discrêt · Vce : 1 V · Vce Saturation (max.) : 900 mV