Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
7391-153177-BP N°. du fabricant:
BSP149 EAN/GTIN:
Pas d'information |
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| MOSFET
Infineon Technologies BSP149
Type de boîtier (semi-conducteur): TO-261-4
Conditionnement: 1 pc(s)
Type à déplétion du canal N
Données techniques :
C(ISS) : 430 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Disponible en logiciel PCB : Target 3001! · Fabricant : Infineon Technologies · Fonction FET : Mode de déplétion · I(d) : 660 mA · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 1.8 W · Q(G) : 14 C · Q(G) Tension de référence : 5 V · R(DS)(on) : 1.8 Ω · R(DS)(on) Courant de référence : 660 mA · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du fabricant (composants) : INF · Série (semiconducteur) : SIPMOS® · Température de fonctionnement (max.) (num) : +150 °C · Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 200 V · Type (type fabricant) : BSP149 · Type de FET : Canal N · Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-261-4 · Type de montage : montage en surface · Type de transistor (Catégorisation) : MOSFET · U(DSS) : 200 V · U(GS)(th) Courant de référence max. : 400 µA · U(GS)(th) max. : 1 V
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