Infineon Technologies Transistor HF (BJT) BFR193 TO-236-3 1 NPN

Transistor - Bipolaire (BJT) - RF

Infineon Technologies BFR193
Type de boîtier (semi-conducteur): TO-236-3
Conditionnement: 1 pc(s)

Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet.

Données techniques :
Courant du collecteur CI : 80 mA · Disponible en logiciel PCB : Target 3001! · Fabricant : Infineon Technologies · Facteur de bruit (max.) : 1.6 dB · Facteur de bruit (min.) : 1 dB · Fréquence - Transition : 8 GHz · Gain à courant c.c. (hFE) (min.) : 70 · Ic : 30 mA · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 580 mW · Sigle du fabricant (composants) : INF · Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) : 12 V · Type (type fabricant) : BFR193 · Type de FET : NPN · Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-236-3 · Type de montage : montage en surface · Type de transistor (Catégorisation) : Transistor - Bipolaire (BJT) - RF · Vce : 8 V