Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 Canal N 82 W TO-263-3

MOSFET

Infineon Technologies IRF630N
Type de boîtier (semi-conducteur): TO-263-3
Conditionnement: 1 pc(s)

Un transistor Mosfet est un composant commandé en tension qui peut directement être branché à des sources à haute impédance. Il convient donc bien à une utilisation comme commutateur ou amplificateur analogique. Ce transistor est compatible µC, TTL et CMOS. Remarque : fabricants SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

Données techniques :
C(ISS) : 575 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Disponible en logiciel PCB : Target 3001! · Fabricant : Infineon Technologies · Fonction FET : Standard · I(d) : 9.3 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 82 W · Q(G) : 35 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 300 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 5.4 A · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du fabricant (composants) : INF · Série (semiconducteur) : HEXFET® · Température de fonctionnement (max.) (num) : +175 °C · Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 200 V · Type (type fabricant) : IRF630N · Type de FET : Canal N · Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-263-3 · Type de montage : montage en surface · Type de transistor (Catégorisation) : MOSFET · U(DSS) : 200 V · U(GS)(th) Courant de référence max. : 250 µA · U(GS)(th) max. : 4 V