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Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-2SC0108T2F1-17
Fabricant:
     Power Integrations
N°. du fabricant:
     2SC0108T2F1-17
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Modules IGBT
Module IGBT
MOSFET
Transistors
Fabricant: POWER INTEGRATIONS
Montage: chaîne de broches
Température de travail: -40...85°C
Tension d'alimentation: 14,5...15,5V DC
Fréquence: 50kHz
Courant de base: 8A
Genre de sortie: driver IGBT
Caractéristiques des circuits intégrés: séparation galvanique;onduleur intégré DC-DC
Type de module: gate driver board
La technologie: SCALE™-2+
Topologie: demi-pont IGBT;demi-pont MOSFET
Classe de tension: 1,7kV
Autres mots de recherche: Transistor, modules igbt
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