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Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 18A; 250W; TO247-3


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-APT15GT120BRDQ1G
Fabricant:
     Microchip Technology
N°. du fabricant:
     APT15GT120BRDQ1G
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistors
Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Montage: THT
Boîtier: TO247-3
Tensions collecteur-émetteur: 1,2kV
Tension entrée - émetteur: ±30V
Courant du collecteur: 18A
Courant du collecteur d'impulsion: 45A
Temps de connection: 21ns
Temps d'extinction: 137ns
Type de transistor: IGBT
Puissance de dissipation: 250W
Genre de la emballage: tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: integrated anti-parallel diode
Charge d'entrée: 105nC
La technologie: NPT
Statut de la pièce: Non recommandé aux nouveaux projets
Autres mots de recherche: Transistor, transistor igbt
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