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Transistor: IGBT; PT; 1,2kV; 33A; 417W; TO247-3


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-APT25GP120BG
Fabricant:
     Microchip Technology
N°. du fabricant:
     APT25GP120BG
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistors
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Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Montage: THT
Boîtier: TO247-3
Tensions collecteur-émetteur: 1,2kV
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 33A
Courant du collecteur d'impulsion: 90A
Temps de connection: 26ns
Temps d'extinction: 197ns
Type de transistor: IGBT
Puissance de dissipation: 417W
Genre de la emballage: tube
Charge d'entrée: 110nC
La technologie: POWER MOS 7®;PT
Autres mots de recherche: Transistor, transistor igbt
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