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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 1,2kV; 18A; Idm: 104A; 1135W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-APT28M120B2
Fabricant:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N°. du fabricant:
     APT28M120B2
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistors
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: THT
Boîtier: TO247MAX
Tension drain-source: 1,2kV
Courant du drain: 18A
Résistance en état de conduction: 530mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 1135W
Polarisation: unipolaire
Charge d'entrée: 300nC
La technologie: POWER MOS 8®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±30V
Courant du drain dans l'impulsion: 104A
Autres mots de recherche: Transistor, transistors de puissance
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