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Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 30A; 357W; TO264


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-APT33GF120LRDQ2G
Fabricant:
     Microchip Technology
N°. du fabricant:
     APT33GF120LRDQ2G
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistors
Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Montage: THT
Boîtier: TO264
Tensions collecteur-émetteur: 1,2kV
Tension entrée - émetteur: ±30V
Courant du collecteur: 30A
Courant du collecteur d'impulsion: 75A
Temps de connection: 31ns
Temps d'extinction: 355ns
Type de transistor: IGBT
Puissance de dissipation: 357W
Genre de la emballage: tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: integrated anti-parallel diode
Charge d'entrée: 170nC
La technologie: NPT
Autres mots de recherche: Transistor, transistor igbt
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