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Transistor: IGBT; PT; 1,2kV; 46A; 543W; T-Max


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-APT35GP120B2DQ2G
Fabricant:
     Microchip Technology
N°. du fabricant:
     APT35GP120B2DQ2G
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistors
Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Montage: THT
Boîtier: T-Max
Tensions collecteur-émetteur: 1,2kV
Tension entrée - émetteur: ±30V
Courant du collecteur: 46A
Courant du collecteur d'impulsion: 140A
Temps de connection: 36ns
Temps d'extinction: 0,22µs
Type de transistor: IGBT
Puissance de dissipation: 543W
Genre de la emballage: tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: integrated anti-parallel diode
Charge d'entrée: 150nC
La technologie: POWER MOS 7®;PT
Autres mots de recherche: Transistor, transistor igbt
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