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Transistor: IGBT; PT; 600V; 72A; 625W; T-Max


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Transistor: IGBT; PT; 600V; 72A; 625W; T-Max
Transistor: IGBT; PT; 600V; 72A; 625W; T-Max
N° du produit:
     8DJEB-APT50GP60B2DQ2G
Fabricant:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N°. du fabricant:
     APT50GP60B2DQ2G
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistors
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: THT
Boîtier: T-Max
Tensions collecteur-émetteur: 600V
Tension entrée - émetteur: ±30V
Courant du collecteur: 72A
Courant du collecteur d'impulsion: 190A
Temps de connection: 55ns
Temps d'extinction: 200ns
Type de transistor: IGBT
Puissance de dissipation: 625W
Genre de la emballage: tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: integrated anti-parallel diode
Charge d'entrée: 165nC
La technologie: POWER MOS 7®;PT
Autres mots de recherche: Transistor, transistor igbt
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* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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