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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 500V; 89A; Idm: 356A; 893W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-APT50M50L2LLG
Fabricant:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N°. du fabricant:
     APT50M50L2LLG
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistors
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: THT
Boîtier: TO264MAX
Tension drain-source: 500V
Courant du drain: 89A
Résistance en état de conduction: 50mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 893W
Polarisation: unipolaire
Charge d'entrée: 200nC
La technologie: POWER MOS 7®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±30V
Courant du drain dans l'impulsion: 356A
Autres mots de recherche: Transistor, transistors de puissance
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