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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 500V; 35A; Idm: 175A; 780W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-APT56F50B2
Fabricant:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N°. du fabricant:
     APT56F50B2
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistors
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: THT
Boîtier: TO247MAX
Tension drain-source: 500V
Courant du drain: 35A
Résistance en état de conduction: 0,1Ω
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 780W
Polarisation: unipolaire
Charge d'entrée: 0,22µC
La technologie: POWER MOS 8®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±30V
Courant du drain dans l'impulsion: 175A
Autres mots de recherche: Transistor, transistors de puissance
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