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Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolaire; 600V; 65A; 833W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-APT60M80L2VRG
Fabricant:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N°. du fabricant:
     APT60M80L2VRG
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistors
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: THT
Boîtier: TO264MAX
Tension drain-source: 600V
Courant du drain: 65A
Résistance en état de conduction: 80mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 833W
Polarisation: unipolaire
Charge d'entrée: 590nC
La technologie: POWER MOS 5®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±30V
Courant du drain dans l'impulsion: 260A
Autres mots de recherche: Transistor, transistors de puissance
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