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Module; diode/transistor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W; vissés


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-APTM10DAM05TG
Fabricant:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N°. du fabricant:
     APTM10DAM05TG
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
transistors de puissance
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI)
Boîtier: SP4
Construction de semi-conducteur: diode/transistor
Tension drain-source: 100V
Courant du drain: 207A
Résistance en état de conduction: 5mΩ
Puissance de dissipation: 780W
Montage électrique: vissés;FASTON connecteurs
Montage mécanique: vissés
Type de module: de transistor MOSFET
La technologie: POWER MOS 5®
Tension entrée-source: ±30V
Topologie: thermistor NTC;boost chopper
Courant du drain dans l'impulsion: 1100A
Aperçu des conditions1
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€ 142,86*
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à partir de 5 Pièces
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à partir de 500 Pièces
€ 106,14*
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