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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 27A; Idm: 80A; 241W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
N° du produit:
     8DJEB-B1M080120HC
Fabricant:
     BASiC SEMICONDUCTOR
N°. du fabricant:
     B1M080120HC
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
transistors de puissance
Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Boîtier: TO247-3
Tension drain-source: 1,2kV
Courant du drain: 27A
Résistance en état de conduction: 80mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 241W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: tube
Charge d'entrée: 149nC
La technologie: SiC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: -5...20V
Courant du drain dans l'impulsion: 80A
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€ 24,02
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à partir de 20 Pièces
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