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Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolaire; 100V; 0,16A


Quantité:  Pièces  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-BSS123W-YAN
Fabricant:
     YANGJIE TECHNOLOGY
N°. du fabricant:
     BSS123W
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: YANGJIE TECHNOLOGY
Montage: SMD
Boîtier: SOT323
Tension drain-source: 100V
Courant du drain: 0,16A
Résistance en état de conduction: 5,5Ω
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 0,35W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 2,5nC
La technologie: TRENCH POWER MV
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: 0,8A
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