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Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolaire; -60V; -230mA; Idm: -0,92A


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-BSS84T116
Fabricant:
     ROHM Semiconductor
N°. du fabricant:
     BSS84T116
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Boîtier: SOT23
Tension drain-source: -60V
Courant du drain: -0,23A
Résistance en état de conduction: 6,4Ω
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 0,35W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
La technologie: Trench
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: -0,92A
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