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Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -12V; -2,3A; Idm: -9A; 500mW


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-CSD23381F4T
Fabricant:
     Texas Instruments
N°. du fabricant:
     CSD23381F4T
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Fabricant: TEXAS INSTRUMENTS
Montage: SMD
Boîtier: PICOSTAR3
Tension drain-source: -12V
Courant du drain: -2,3A
Résistance en état de conduction: 0,97Ω
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 0,5W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
La technologie: NexFET™
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±8V
Courant du drain dans l'impulsion: -9A
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