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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 50V; 160mA; Idm: 560A; 200mW


Quantité:  Pièces  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-DMN55D0UTQ-7
Fabricant:
     Diodes
N°. du fabricant:
     DMN55D0UTQ-7
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Boîtier: SOT523
Tension drain-source: 50V
Courant du drain: 0,16A
Résistance en état de conduction: 5Ω
Type de transistor: N-MOSFET
Utilisation: industrie automobile
Puissance de dissipation: 0,2W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau 7 pouces
Charge d'entrée: 295nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±12V
Courant du drain dans l'impulsion: 560A
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