Informations sur les produits |  |
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| N° du produit: 8DJEB-DN3535N8-G N°. du fabricant: DN3535N8-G EAN/GTIN: Pas d'information |
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 | Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY Montage: SMD Boîtier: SOT89-3 Tension drain-source: 350V Courant du drain: 0,23A Résistance en état de conduction: 10Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dissipation: 1,6W Polarisation: unipolaire Genre de la emballage: bande;rouleau Genre de canal: appauvri Tension entrée-source: ±20V Courant du drain dans l'impulsion: 0,5A |
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 | Autres mots de recherche: Relais à haute performance, Transistor de puissance, Transistors de puissance, MOSFET, Relais MOSFET, Relais asymétrique, Relais asymétriques, Relais de tension monophasé, Relais de tension monophasés, Relais de surveillance réseau, Relais surveillance réseau, Relais de tension, Relais surveillance tension, Relais de surveillance de sous-tension, Relais de contrôle de sous-tension, Relais de surveillance de sous tension, Relais de contrôle de sous tension, Relais de sous-tension, Relais de sous tension, Relais de surveillance de sur-tension, Relais de surveillance de sur tension, Relais de contrôle de sur-tension, Relais de contrôle de sur tension, Relais de sur-tension, Relais de surveillance sur-tension, Transistor CMS, Transistors CMS, Transistor SMD, Transistors SMD, Transistors, Transistor, Relais amplificateur, Relais amplificateurs, transistor cms |
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