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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 80V; 80A; Idm: 637A; 125W; Power56


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-FDMS004N08C
Fabricant:
     onsemi
N°. du fabricant:
     FDMS004N08C
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor à effet de champ
Transistors à effet de champ
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Fabricant: ONSEMI
Montage: SMD
Boîtier: Power56
Tension drain-source: 80V
Courant du drain: 80A
Résistance en état de conduction: 6,5mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 125W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 55nC
La technologie: PowerTrench®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: 637A
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