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Transistor: IGBT; 1,2kV; 100A; 433W; TO247-3


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-FGY100T120SWD
Fabricant:
     onsemi
N°. du fabricant:
     FGY100T120SWD
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistors
Fabricant: ONSEMI
Montage: THT
Boîtier: TO247-3
Tensions collecteur-émetteur: 1,2kV
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 100A
Courant du collecteur d'impulsion: 400A
Type de transistor: IGBT
Puissance de dissipation: 433W
Genre de la emballage: tube
Charge d'entrée: 284nC
Autres mots de recherche: Transistor, transistor igbt
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