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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 900V; 3,8A; Idm: 25A; 171W; D2PAK


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-FQB8N90CTM
Fabricant:
     onsemi
N°. du fabricant:
     FQB8N90CTM
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: ONSEMI
Montage: SMD
Boîtier: D2PAK
Tension drain-source: 900V
Courant du drain: 3,8A
Résistance en état de conduction: 1,9Ω
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 171W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 45nC
La technologie: QFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±30V
Courant du drain dans l'impulsion: 25A
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€ 1,73
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