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Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -100V; -5,7A; Idm: -32A; 65W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-FQB8P10TM
Fabricant:
     onsemi
N°. du fabricant:
     FQB8P10TM
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Fabricant: ONSEMI
Montage: SMD
Boîtier: D2PAK
Tension drain-source: -100V
Courant du drain: -5,7A
Résistance en état de conduction: 530mΩ
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 65W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 15nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±30V
Courant du drain dans l'impulsion: -32A
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