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Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -100V; -4,2A; Idm: -26,4A; 44W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -100V; -4,2A; Idm: -26,4A; 44W
Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -100V; -4,2A; Idm: -26,4A; 44W
N° du produit:
     8DJEB-FQD8P10TM-F085
Fabricant:
     onsemi
N°. du fabricant:
     FQD8P10TM-F085
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
mosfet 100v
Fabricant: ONSEMI
Montage: SMD
Boîtier: DPAK
Tension drain-source: -100V
Courant du drain: -4,2A
Résistance en état de conduction: 530mΩ
Type de transistor: P-MOSFET
Utilisation: industrie automobile
Puissance de dissipation: 44W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 15nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±30V
Courant du drain dans l'impulsion: -26,4A
Autres mots de recherche: transistors de puissance
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€ 1,45
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€ 0,86*
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à partir de 500 Pièces
€ 0,75*
€ 0,90
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