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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,7kV; 4A; Idm: 8A; 54W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-G2R1000MT17J
Fabricant:
     Genesic Semiconductor
N°. du fabricant:
     G2R1000MT17J
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Boîtier: TO263-7
Tension drain-source: 1,7kV
Courant du drain: 4A
Résistance en état de conduction: 1Ω
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 54W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: sortie Kelvin
La technologie: SiC;G2R™
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: -5...20V
Courant du drain dans l'impulsion: 8A
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€ 5,22
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