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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,7kV; 15A; Idm: 48A; 187W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-G3R160MT17J
Fabricant:
     Genesic Semiconductor
N°. du fabricant:
     G3R160MT17J
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Boîtier: TO263-7
Tension drain-source: 1,7kV
Courant du drain: 15A
Résistance en état de conduction: 0,16Ω
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 187W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: sortie Kelvin
Charge d'entrée: 51nC
La technologie: SiC;G3R™
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: -5...15V
Courant du drain dans l'impulsion: 48A
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à partir de 3000 Pièces
€ 9,64*
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