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Transistor: IGBT; 1,2kV; 35A; 230W; TO3PN


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Transistor: IGBT; 1,2kV; 35A; 230W; TO3PN
Transistor: IGBT; 1,2kV; 35A; 230W; TO3PN
N° du produit:
     8DJEB-GT40QR21
Fabricant:
     Toshiba
N°. du fabricant:
     GT40QR21(STA1,E,D
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistors
Fabricant: TOSHIBA
Montage: THT
Boîtier: TO3PN
Tensions collecteur-émetteur: 1,2kV
Tension entrée - émetteur: ±25V
Courant du collecteur: 35A
Courant du collecteur d'impulsion: 80A
Temps de connection: 0,3µs
Temps d'extinction: 0,6µs
Type de transistor: IGBT
Puissance de dissipation: 230W
Genre de la emballage: tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: integrated anti-parallel diode
Autres mots de recherche: Transistor, transistor igbt
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