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Transistor: IGBT; 1,2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-IKW25N120H3
Fabricant:
     Infineon
N°. du fabricant:
     IKW25N120H3FKSA1
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistors
Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Boîtier: TO247-3
Tensions collecteur-émetteur: 1,2kV
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 50A
Courant du collecteur d'impulsion: 100A
Type de transistor: IGBT
Puissance de dissipation: 326W
Genre de la emballage: tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: integrated anti-parallel diode
Charge d'entrée: 115nC
Série du fabricant: H3
La technologie: TRENCHSTOP™ 3
Autres mots de recherche: Transistor, transistor igbt
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