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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     8DJEB-IPB027N10N3GATMA1
Fabricant:
     Infineon
N°. du fabricant:
     IPB027N10N3GATMA1
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
MOSFET de puissance
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Boîtier: PG-TO263-7
Tension drain-source: 100V
Courant du drain: 120A
Résistance en état de conduction: 2,7mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 300W
Polarisation: unipolaire
La technologie: OptiMOS™ 3
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Entrepôts (2)
État du stock
Quantité min.
Expédition
Prix dégressif
Prix unitaire
^
Entrepôt 8DJEB
1
€ 7,90*
à partir de € 3,62*
€ 5,02*
2
Franco à domicile
à partir de € 4,497*
€ 6,017*
Prix: Entrepôt 8DJEB
Quantité
HT
TTC
Unité
1 Pièce
€ 5,02*
€ 6,02
par Pièce
à partir de 5 Pièces
€ 4,72*
€ 5,66
par Pièce
à partir de 10 Pièces
€ 4,66*
€ 5,59
par Pièce
à partir de 20 Pièces
€ 4,44*
€ 5,33
par Pièce
à partir de 50 Pièces
€ 4,26*
€ 5,11
par Pièce
à partir de 5000 Pièces
€ 3,62*
€ 4,34
par Pièce
État du stock: Entrepôt 8DJEB
Expédition: Entrepôt 8DJEB
Montant de la commande
Expédition
à partir de € 0,00*
€ 7,90*
Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 8DJEB
L'annulation, le remplacement et le retour de ce produit sont exclus.
Le délai de garantie légal stipulé dans les CGV conserve sa validité indépendamment des droits de retour indiqués.
* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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