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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-IPB030N08N3GATMA1
Fabricant:
     Infineon
N°. du fabricant:
     IPB030N08N3GATMA1
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
MOSFET de puissance
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Boîtier: PG-TO263-7
Tension drain-source: 80V
Courant du drain: 160A
Résistance en état de conduction: 3mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 214W
Polarisation: unipolaire
La technologie: OptiMOS™ 3
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Aperçu des conditions1
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à partir de 20 Pièces
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€ 3,76
par Pièce
à partir de 50 Pièces
€ 2,94*
€ 3,53
par Pièce
à partir de 100 Pièces
€ 2,12*
€ 2,54
par Pièce
à partir de 250 Pièces
€ 1,80*
€ 2,16
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à partir de 500 Pièces
€ 1,55*
€ 1,86
par Pièce
à partir de 10000 Pièces
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€ 1,63
par Pièce
* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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