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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 500V; 12A; 104W; PG-TO263-3


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-IPB50R299CPATMA1
Fabricant:
     Infineon
N°. du fabricant:
     IPB50R299CPATMA1
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Boîtier: PG-TO263-3
Tension drain-source: 500V
Courant du drain: 12A
Résistance en état de conduction: 0,299Ω
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 104W
Polarisation: unipolaire
La technologie: CoolMOS™
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Aperçu des conditions1
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1 Pièce
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à partir de 20 Pièces
€ 1,78*
€ 2,14
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à partir de 50 Pièces
€ 1,69*
€ 2,03
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à partir de 100 Pièces
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€ 1,69
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à partir de 10000 Pièces
€ 1,20*
€ 1,44
par Pièce
* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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