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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 23,8A; 176W; PG-TO263-3


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-IPB60R160C6ATMA1
Fabricant:
     Infineon
N°. du fabricant:
     IPB60R160C6ATMA1
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Boîtier: PG-TO263-3
Tension drain-source: 600V
Courant du drain: 23,8A
Résistance en état de conduction: 0,16Ω
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 176W
Polarisation: unipolaire
La technologie: CoolMOS™ C6
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Aperçu des conditions1
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Prix HT
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Quantité
HT
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Unité
1 Pièce
€ 5,05*
€ 6,06
par Pièce
à partir de 10 Pièces
€ 3,23*
€ 3,88
par Pièce
à partir de 20 Pièces
€ 3,18*
€ 3,82
par Pièce
à partir de 50 Pièces
€ 2,93*
€ 3,52
par Pièce
à partir de 100 Pièces
€ 2,05*
€ 2,46
par Pièce
à partir de 10000 Pièces
€ 1,70*
€ 2,04
par Pièce
* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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