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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 650V; 7,3A; 63W; PG-TO252-3

Quantité:

Pièce

Informations sur les produits

N° du produit:
8DJEB-IPD65R600E6BTMA1

Fabricant:
Infineon

N°. du fabricant:
IPD65R600E6BTMA1

EAN/GTIN:
Pas d'information

Mots de recherche:

Correction de facteur de puissance
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET

Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Boîtier: PG-TO252-3
Tension drain-source: 650V
Courant du drain: 7,3A
Résistance en état de conduction: 0,6Ω
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 63W
Polarisation: unipolaire
La technologie: CoolMOS™
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V

... > Transistors unipolaires > Transistors avec canal de type N > Transistors SMD à canal N

Autres mots de recherche: Transistor CMS, Transistors CMS, Transistor SMD, Transistors SMD, Transistors, Transistor, transistor cms

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