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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 75V; 350A; 520W; TO247AC


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-IRFP4368PBFXKMA1
Fabricant:
     Infineon
N°. du fabricant:
     IRFP4368PBFXKMA1
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistors
Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Boîtier: TO247AC
Tension drain-source: 75V
Courant du drain: 350A
Résistance en état de conduction: 1,8mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 520W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: tube
Charge d'entrée: 380nC
La technologie: HEXFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Autres mots de recherche: Transistor, transistors de puissance
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