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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 60A; Idm: 200A; 370W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-LGE3M25120Q
Fabricant:
     LUGUANG ELECTRONIC
N°. du fabricant:
     LGE3M25120Q
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistors
Fabricant: LUGUANG ELECTRONIC
Montage: THT
Boîtier: TO247-4
Tension drain-source: 1,2kV
Courant du drain: 60A
Résistance en état de conduction: 43mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 370W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: sortie Kelvin
Charge d'entrée: 54nC
La technologie: SiC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: -5...20V
Courant du drain dans l'impulsion: 200A
Autres mots de recherche: Transistor, transistor de puissance
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