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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 650V; 36A; Idm: 97A; 208W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-LGE3M60065Q
Fabricant:
     LUGUANG ELECTRONIC
N°. du fabricant:
     LGE3M60065Q
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistors
Fabricant: LUGUANG ELECTRONIC
Montage: THT
Boîtier: TO247-4
Tension drain-source: 650V
Courant du drain: 36A
Résistance en état de conduction: 75mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 208W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: sortie Kelvin
Charge d'entrée: 78nC
La technologie: SiC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: -4...18V
Courant du drain dans l'impulsion: 97A
Autres mots de recherche: Transistor, transistor de puissance
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