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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 23A; 136W; D2PAK-7


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-LGE3M80120J
Fabricant:
     LUGUANG ELECTRONIC
N°. du fabricant:
     LGE3M80120J
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: LUGUANG ELECTRONIC
Montage: SMD
Boîtier: D2PAK-7
Tension drain-source: 1,2kV
Courant du drain: 23A
Résistance en état de conduction: 96mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 136W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: sortie Kelvin
Charge d'entrée: 20,8nC
La technologie: SiC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: -3...15V
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€ 10,07
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