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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 3,3kV; 26A; Idm: 100A; 381W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-MSC080SMA330B4
Fabricant:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N°. du fabricant:
     MSC080SMA330B4
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistors
Fabricant: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: THT
Boîtier: TO247-4
Tension drain-source: 3,3kV
Courant du drain: 26A
Résistance en état de conduction: 0,105Ω
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 381W
Polarisation: unipolaire
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: sortie Kelvin
Charge d'entrée: 55nC
La technologie: SiC
Genre de canal: enrichi
Courant du drain dans l'impulsion: 100A
Autres mots de recherche: Transistor, transistors de puissance
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